GD450HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 706 А, 1.85 В, 2.542 кВт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 GD450HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 706 А, 1.85 В, 2.542 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC035066906.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/790/DOC032790126.jpg)
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
47 220 руб.
от 5 шт. —
38 480 руб.
от 10 шт. —
31 930 руб.
1 шт.
на сумму 47 220 руб.
Плати частями
от 11 805 руб. × 4 платежа
от 11 805 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
IGBT модуль 1700B 450А 2 in one-package
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 706А |
DC Ток Коллектора | 706А |
Power Dissipation | 2.542кВт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 2.542кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 200 |
Техническая документация
Datasheet GD450HFX170C6S
pdf, 202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.