GD50FFY120C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 85 А, 1.7 В, 292 Вт, 150 °C, Module
![GD50FFY120C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 85 А, 1.7 В, 292 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC035066914.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-9 недель
13 800 руб.
от 5 шт. —
12 810 руб.
1 шт.
на сумму 13 800 руб.
Плати частями
от 3 450 руб. × 4 платежа
от 3 450 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 85А |
DC Ток Коллектора | 85А |
Power Dissipation | 292Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Three Phase Full Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 292Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD50FFY120C5S
pdf, 228 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.