GD50HFX170C1S, IGBT MODULE, 1.7KV, 100A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

38 шт., срок 7-9 недель

9 520 руб.

от 5 шт. — 9 070 руб.

от 10 шт. — 8 500 руб.

1 шт. на сумму 9 520 руб.

Плати частями
от 2 380 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8012538207

Артикул: GD50HFX170C1S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	100А
DC Ток Коллектора	100А
Power Dissipation	418Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	418Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench
Вес, г	150

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.