GD50HFX65C1S, IGBT MODULE, 650V, 75A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

42 шт., срок 7-9 недель

7 150 руб.

от 5 шт. — 6 820 руб.

от 10 шт. — 6 390 руб.

1 шт. на сумму 7 150 руб.

Плати частями
от 1 789 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8012538203

Артикул: GD50HFX65C1S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	75А
DC Ток Коллектора	75А
Power Dissipation	205Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Рассеиваемая Мощность	205Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench
Вес, г	150

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.