GD50PIY120C6SN, IGBT MODULE, 1.2KV, 62A
![GD50PIY120C6SN, IGBT MODULE, 1.2KV, 62A](https://static.chipdip.ru/lib/645/DOC043645251.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
20 140 руб.
1 шт.
на сумму 20 140 руб.
Плати частями
от 5 035 руб. × 4 платежа
от 5 035 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 62А |
DC Ток Коллектора | 62А |
Power Dissipation | 218Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | PIM |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 218Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Вес, г | 200 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.