GD600SGU120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 830 А, 2.9 В, 4.032 кВт, 125 °C, Module
![GD600SGU120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 830 А, 2.9 В, 4.032 кВт, 125 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/134/DOC035134605.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
30 970 руб.
1 шт.
на сумму 30 970 руб.
Плати частями
от 7 744 руб. × 4 платежа
от 7 744 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.9В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 830А |
DC Ток Коллектора | 830А |
Power Dissipation | 4.032кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Single |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.9В |
Рассеиваемая Мощность | 4.032кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | NPT Ultra Fast IGBT |
Вес, г | 200 |
Техническая документация
Datasheet GD600SGU120C2S
pdf, 277 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.