GD600SGU120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 830 А, 2.9 В, 4.032 кВт, 125 °C, Module

GD600SGU120C2S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single, 830 А, 2.9 В, 4.032 кВт, 125 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
30 970 руб.
1 шт. на сумму 30 970 руб.
Плати частями
от 7 744 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007172850
Артикул: GD600SGU120C2S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 2.9В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 830А
DC Ток Коллектора 830А
Power Dissipation 4.032кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Single
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальная Температура Перехода Tj 125°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 2.9В
Рассеиваемая Мощность 4.032кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ NPT Ultra Fast IGBT
Вес, г 200

Техническая документация

Datasheet GD600SGU120C2S
pdf, 277 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.