GD75HFX170C1S, IGBT MODULE, 1.7KV, 139A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 7-9 недель
10 800 руб.
от 5 шт. —
10 550 руб.
от 10 шт. —
9 890 руб.
1 шт.
на сумму 10 800 руб.
Плати частями
от 2 700 руб. × 4 платежа
от 2 700 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 139А |
| DC Ток Коллектора | 139А |
| Power Dissipation | 559Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 559Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | Trench |
| Вес, г | 150 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
