GD75HFX65C1S, IGBT MODULE, 650V, 100A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 шт., срок 7-9 недель

7 840 руб.

от 5 шт. — 7 470 руб.

1 шт. на сумму 7 840 руб.

Плати частями
от 1 960 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8012538204

Артикул: GD75HFX65C1S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.45В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	100А
DC Ток Коллектора	100А
Power Dissipation	258Вт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.45В
Рассеиваемая Мощность	258Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench
Вес, г	150

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.