GD75PIX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 103 А, 1.45 В, 267 Вт

GD75PIX65C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 103 А, 1.45 В, 267 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
21 150 руб.
от 5 шт.19 760 руб.
от 10 шт.18 400 руб.
1 шт. на сумму 21 150 руб.
Плати частями
от 5 289 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007254232
Артикул: GD75PIX65C6S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 103А
DC Ток Коллектора 103А
Power Dissipation 267Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Рассеиваемая Мощность 267Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet GD75PIX65C6S
pdf, 339 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.