GD75PIY120C6SN, БТИЗ массив и модульный транзистор, 117 А, 2.15 В, 380 Вт, 175 °C, Module
![GD75PIY120C6SN, БТИЗ массив и модульный транзистор, 117 А, 2.15 В, 380 Вт, 175 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC035066933.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
25 290 руб.
от 5 шт. —
20 610 руб.
1 шт.
на сумму 25 290 руб.
Плати частями
от 6 324 руб. × 4 платежа
от 6 324 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Channel Type | Seven N Channel |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.15В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 117А |
Power Dissipation | 380Вт |
Выводы БТИЗ | Паечный контакт |
Количество Выводов | 35вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Полярность Транзистора | Seven N Channel |
Рассеиваемая Мощность | 380Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Вес, г | 293 |
Техническая документация
Datasheet GD75PIY120C6SN
pdf, 297 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.