GD800SGX170C3S, IGBT MODULE
![GD800SGX170C3S, IGBT MODULE](https://static.chipdip.ru/lib/644/DOC043644288.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
62 790 руб.
от 5 шт. —
58 350 руб.
1 шт.
на сумму 62 790 руб.
Плати частями
от 15 699 руб. × 4 платежа
от 15 699 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.3В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 800А |
Power Dissipation | 5.75кВт |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Dual Common Emitter Common Gate |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.