GD800HFX170C3S, IGBT MODULE, 1.7KV, 800A
![GD800HFX170C3S, IGBT MODULE, 1.7KV, 800A](https://static.chipdip.ru/lib/645/DOC043645149.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
94 020 руб.
от 5 шт. —
87 370 руб.
1 шт.
на сумму 94 020 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 800А |
DC Ток Коллектора | 800А |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.