HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]
![Фото 1/2 HGTG10N120BND, Транзистор IGBT 1200В 17А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC001220075.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
600 руб.
от 15 шт. —
555 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 35А, 298Вт, TO247 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Технология/семейство | NPT | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 35 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 80 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.7 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 298 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 23 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 165 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов