HMC311LP3E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 920 руб.
от 10 шт. —
2 590 руб.
от 25 шт. —
2 360 руб.
1 шт.
на сумму 2 920 руб.
Плати частями
от 730 руб. × 4 платежа
от 730 руб. × 4 платежа
Описание
РЧ-усилитель InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
Технические параметры
NF - коэффициент шумов | 4.5 dB |
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка | 32 dBm |
P1dB - точка сжатия | 15.5 dBm |
Pd - рассеивание мощности | 0.339 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Входные потери на отражение | 15 dB |
Категория продукта | РЧ-усилитель |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | Wireless RF Integrated Circuits |
Рабочая частота | 6 GHz |
Рабочее напряжение питания | 5 V |
Рабочий ток источника питания | 55 mA |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | HMC311 |
Технология | GaAs InGaP |
Тип | Gain Block Amplifier |
Тип продукта | RF Amplifier |
Торговая марка | Analog Devices / Hittite |
Упаковка | Cut Tape |
Упаковка / блок | QFN-16 |
Усиление | 14.5 dB |
Частотный диапазон | DC to 6 GHz |
Automotive | No |
Maximum Operating Supply Voltage - (V) | 7 |
Maximum Supply Current - (mA) | 74@5V |
Military | No |
Operating Temperature - (?C) | -40~85 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 16 |
Standard Package Name | QFN |
Supplier Package | QFN EP |
Typical Noise Figure - (dB) | 4.5@6000MHz |
Typical Output Power Range - (dBm) | 10 to 15 |
Typical Power Gain - (dB) | 14@6000MHz |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем