IGB15N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 35 А, 1.35 В, 105 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 450 руб.

от 100 шт. — 348 руб.

5 шт. на сумму 2 700 руб.

Плати частями
от 675 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8002913942

Артикул: IGB15N65S5ATMA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	35А
Power Dissipation	105Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Pd - рассеивание мощности	105 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IGB15N65S5 SP001502560
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	35 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263-3
Maximum Power Dissipation	105 W
Package Type	PG-TO263-3
Вес, г	0.1