IGD10N65T6ARMA1, БТИЗ транзистор, 23 А, 1.5 В, 75 Вт, 650 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

560 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 480 руб.

от 100 шт. — 366 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 800 руб.

Плати частями
от 700 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8007311657

Артикул: IGD10N65T6ARMA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Collector Emitter Saturation Voltage	1.5В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	23А
Power Dissipation	75Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP IGBT6
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	2

pdf, 3336 КБ

Мы рекомендуем