IGD15N65T6ARMA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.5 В, 100 Вт, 650 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)

IGD15N65T6ARMA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.5 В, 100 Вт, 650 В, TO-252 (DPAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
390 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт.340 руб.
от 100 шт.260 руб.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 730 руб.
Плати частями
от 684 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007297034
Артикул: IGD15N65T6ARMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 30А
Power Dissipation 100Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP IGBT6
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet IGD15N65T6ARMA1
pdf, 3337 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов