IGU04N60TAKMA1, БТИЗ транзистор, 9.5 А, 1.5 В, 42 Вт, 600 В, TO-251, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт. —
160 руб.
10 шт.
на сумму 2 200 руб.
Плати частями
от 550 руб. × 4 платежа
от 550 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 9.5А |
Power Dissipation | 42Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 4 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
Maximum Power Dissipation | 42 W |
Package Type | TO-251 |
Вес, г | 4.3 |
Техническая документация
Datasheet IGU04N60TAKMA1
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов