IGU04N60TAKMA1, БТИЗ транзистор, 9.5 А, 1.5 В, 42 Вт, 600 В, TO-251, 3 вывод(-ов)

Фото 1/4 IGU04N60TAKMA1, БТИЗ транзистор, 9.5 А, 1.5 В, 42 Вт, 600 В, TO-251, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт.160 руб.
10 шт. на сумму 2 200 руб.
Плати частями
от 550 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8001887938
Артикул: IGU04N60TAKMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO251 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 9.5А
Power Dissipation 42Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-251
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 4 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20.0V
Maximum Power Dissipation 42 W
Package Type TO-251
Вес, г 4.3

Техническая документация

Datasheet IGU04N60TAKMA1
pdf, 458 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов