IGW100N60H3FKSA1, БТИЗ транзистор, 140 А, 1.85 В, 714 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 640 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 610 руб.
от 10 шт. —
1 540 руб.
2 шт.
на сумму 3 280 руб.
Плати частями
от 820 руб. × 4 платежа
от 820 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT is a high speed IGBT in Trench and Field stop technology. This IGBT has 175 degree Celsius maximum junction temperature and qualified according to JEDEC for target applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 140 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 9.163 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
