IGW15T120FKSA1, БТИЗ транзистор, 15 А, 2.2 В, 110 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 110 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 940 руб.

от 100 шт. — 583 руб.

3 шт. на сумму 3 330 руб.

Плати частями
от 834 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8819604076

Артикул: IGW15T120FKSA1

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology.

Channel Type	N
Energy Rating	4.1mJ
Gate Capacitance	1100pF
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	30 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	110 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	6.12

pdf, 357 КБ

Мы рекомендуем