IGW30N65L5XKSA1, БТИЗ транзистор, 85 А, 1.05 В, 227 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 030 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 870 руб.

3 шт. на сумму 3 090 руб.

Плати частями
от 774 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8234315715

Артикул: IGW30N65L5XKSA1

The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	85 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation	227 W
Package Type	PG-TO247-3
Pin Count	3
Вес, г	5.42

pdf, 1617 КБ

Мы рекомендуем