IHW15N120E1XKSA1, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.5 В, 156 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
375 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 720 руб.
Плати частями
от 680 руб. × 4 платежа
от 680 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IHW15N120E1 SP001391908 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | IGBT RC Soft Switching |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 30 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 156000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Supplier Package | TO-247 |
| Tab | Tab |
| Technology | Trench Stop |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5 |
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 30 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part # Aliases | IHW15N120E1 |
| Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1900 КБ
Datasheet IHW15N120E1XKSA1
pdf, 1897 КБ
Datasheet IHW15N120E1XKSA1
pdf, 1994 КБ
Datasheet IHW15N120E1XKSA1
pdf, 2010 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
