IHW20N65R5XKSA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 150 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
![IHW20N65R5XKSA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 150 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/259/DOC047259953.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
467 руб.
4 шт.
на сумму 2 800 руб.
Плати частями
от 700 руб. × 4 платежа
от 700 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT is a reverse conducting IGBT with monolithic body diode. This IGBT has powerful monolithic reverse conducting diode with low forward voltage and qualified according to JESD022 for target applications.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet IHW20N65R5XKSA1
pdf, 2120 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов