IHW30N110R3FKSA1, IGBT, SINGLE, N CH, 1.1KV, 60A, TO-247-3
![IHW30N110R3FKSA1, IGBT, SINGLE, N CH, 1.1KV, 60A, TO-247-3](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 160 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
990 руб.
от 100 шт. —
666 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 480 руб.
Плати частями
от 870 руб. × 4 платежа
от 870 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.1кВ |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 333Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 5.42 |
Техническая документация
Datasheet IHW30N110R3FKSA1
pdf, 2044 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов