IHW30N110R3FKSA1, IGBT, SINGLE, N CH, 1.1KV, 60A, TO-247-3

IHW30N110R3FKSA1, IGBT, SINGLE, N CH, 1.1KV, 60A, TO-247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 160 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.990 руб.
от 100 шт.666 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 480 руб.
Плати частями
от 870 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8259460535
Артикул: IHW30N110R3FKSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 1.1кВ
Continuous Collector Current 60А
Power Dissipation 333Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 5.42

Техническая документация

Datasheet IHW30N110R3FKSA1
pdf, 2044 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов