IHW30N120R5XKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.55 В, 330 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/3 IHW30N120R5XKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.55 В, 330 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806614.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/627/DOC026627597.jpg)
900 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
750 руб.
от 100 шт. —
541 руб.
3 шт.
на сумму 2 700 руб.
Плати частями
от 675 руб. × 4 платежа
от 675 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 1,2кВ, 30А, 165Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 330Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 60(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Package Type | TO-247 |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 25V |
Maximum Power Dissipation | 330 W |
Number of Transistors | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов