IKA08N65ET6XKSA1, БТИЗ транзистор, 11 А, 1.5 В, 33 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/2 IKA08N65ET6XKSA1, БТИЗ транзистор, 11 А, 1.5 В, 33 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC012173406.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC045071263.jpg)
390 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
260 руб.
7 шт.
на сумму 2 730 руб.
Плати частями
от 684 руб. × 4 платежа
от 684 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
IKA08N65ET6, SP001701332
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 11А |
Power Dissipation | 33Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT6 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 11(A) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Package Type | TO-220FP |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Rad Hardened | No |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1899-12-31 08:00:00 |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Power Dissipation | 13.7 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1846 КБ
Datasheet IKA08N65ET6XKSA1
pdf, 2047 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов