IKA08N65ET6XKSA1, БТИЗ транзистор, 11 А, 1.5 В, 33 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

Фото 1/2 IKA08N65ET6XKSA1, БТИЗ транзистор, 11 А, 1.5 В, 33 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
390 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт.350 руб.
от 100 шт.260 руб.
7 шт. на сумму 2 730 руб.
Плати частями
от 684 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8000883755
Артикул: IKA08N65ET6XKSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

IKA08N65ET6, SP001701332

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 11А
Power Dissipation 33Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP IGBT6
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Channel Type N
Collector Current (DC) 11(A)
Configuration Single
Gate to Emitter Voltage (Max) ±20(V)
Mounting Through Hole
Operating Temperature (Max) 175C
Operating Temperature (Min) -40C
Operating Temperature Classification Automotive
Package Type TO-220FP
Packaging Rail/Tube
Pin Count 3+Tab
Rad Hardened No
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 1899-12-31 08:00:00
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation 13.7 W
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1846 КБ
Datasheet IKA08N65ET6XKSA1
pdf, 2047 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов