IKB20N60TATMA1, БТИЗ транзистор, 20 А, 2.05 В, 166 Вт, 600 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

690 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 610 руб.

от 100 шт. — 481 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 760 руб.

Плати частями
от 690 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8001647820

Артикул: IKB20N60TATMA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

The Infineon IGBT has TRENCHSTOP and Field stop technology with soft, fast recovery anti parallel emitter controlled HE diode.

Collector Emitter Saturation Voltage	2.05В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	20А
Power Dissipation	166Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	41 A
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
Maximum Power Dissipation	166 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	PG-TO263-3
Pin Count	3
Вес, г	1.43

pdf, 685 КБ

Мы рекомендуем