IKD06N60RATMA1

Фото 1/2 IKD06N60RATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт.260 руб.
от 100 шт.195 руб.
9 шт. на сумму 2 610 руб.
Плати частями
от 654 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8013405835

Описание

Описание Транзистор: IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 6А, 100Вт, DPAK Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 100 W
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № IKD06N60R SP000964628
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 12 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 2500
Серия RC
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TO-252-3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1731 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов