IKD06N65ET6ARMA1, IGBT, 650V, 9A, 31W, TO-252

IKD06N65ET6ARMA1, IGBT, 650V, 9A, 31W, TO-252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
330 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.280 руб.
от 100 шт.205 руб.
8 шт. на сумму 2 640 руб.
Плати частями
от 660 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007297035
Артикул: IKD06N65ET6ARMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current
Power Dissipation 31Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP IGBT6
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.43

Техническая документация

Datasheet IKD06N65ET6ARMA1
pdf, 3090 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов