IKD06N65ET6ARMA1, IGBT, 650V, 9A, 31W, TO-252
![IKD06N65ET6ARMA1, IGBT, 650V, 9A, 31W, TO-252](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
205 руб.
8 шт.
на сумму 2 640 руб.
Плати частями
от 660 руб. × 4 платежа
от 660 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 9А |
Power Dissipation | 31Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT6 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.43 |
Техническая документация
Datasheet IKD06N65ET6ARMA1
pdf, 3090 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов