IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT, 650 V, 60 A, 106W, HSIP247, 1.35 Vsat
![Фото 1/2 IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT, 650 V, 60 A, 106W, HSIP247, 1.35 Vsat](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484046.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
1 620 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 520 руб.
от 10 шт. —
1 380 руб.
2 шт.
на сумму 3 240 руб.
Плати частями
от 810 руб. × 4 платежа
от 810 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 106Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | HSIP247 |
Другие названия товара № | FF08MR12W1MA1_B11A SP002314006 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | Trenchstop IGBT5 |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Base Product Number | IKFW40 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 70nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 106W |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Trenchstopв„ў 5 -> |
Supplier Device Package | PG-HSIP247-3-2 |
Switching Energy | 560ВµJ (on), 320ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 17ns/124ns |
Test Condition | 400V, 30A, 13Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 30 |
Вес, г | 11.34 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов