IKFW50N65ES5XKSA1, IGBT, 650V, 74A, 127W, HSIP247

IKFW50N65ES5XKSA1, IGBT, 650V, 74A, 127W, HSIP247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 770 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.1 660 руб.
от 10 шт.1 520 руб.
2 шт. на сумму 3 540 руб.
Плати частями
от 885 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007714862
Артикул: IKFW50N65ES5XKSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.35В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 74А
Power Dissipation 127Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора HSIP247
Другие названия товара № FF1200R17IP5P SP001663854
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия Trenchstop IGBT5 S5
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Base Product Number IKFW50 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 74A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
ECCN EAR99
Gate Charge 95nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 127W
Reverse Recovery Time (trr) 69ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Trenchstopв„ў 5 ->
Supplier Device Package PG-HSIP247-3-2
Switching Energy 860ВµJ (on), 400ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 19ns/130ns
Test Condition 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 11.34

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов