IKP30N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 55 А, 1.65 В, 188 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/3 IKP30N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 55 А, 1.65 В, 188 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172665.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758100.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/266/DOC047266123.jpg)
830 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
720 руб.
от 100 шт. —
551 руб.
4 шт.
на сумму 3 320 руб.
Плати частями
от 830 руб. × 4 платежа
от 830 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор БТИЗ IKP30N65H5XKSA1 производства компании INFINEON выделяется высокими рабочими характеристиками. Модель предназначена для монтажа THT и способна выдерживать ток коллектора в 36 А, что подходит для использования в мощных цепях. Напряжение коллектор-эмиттер достигает 650 В, а мощность в 188 Вт обеспечивает надежную и долговечную работу. Вид IGBT этого транзистора позволяет использовать его в современных электронных схемах, где требуется быстрое переключение и высокая эффективность. Корпус PG-TO220-3 удобен для установки в широком спектре устройств. Продукт с кодом IKP30N65H5XKSA1 станет надежным компонентом в вашей электротехнической аппаратуре. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 36 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
Мощность, Вт | 188 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 55А |
Power Dissipation | 188Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 55 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
Maximum Power Dissipation | 188 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | 188 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKP30N65H5XKSA1
pdf, 2076 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов