IKQ100N60TXKSA1, БТИЗ транзистор, 160 А, 1.5 В, 714 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
![Фото 1/2 IKQ100N60TXKSA1, БТИЗ транзистор, 160 А, 1.5 В, 714 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/470/DOC021470372.jpg)
3 050 руб.
от 5 шт. —
2 770 руб.
от 10 шт. —
2 540 руб.
1 шт.
на сумму 3 050 руб.
Плати частями
от 764 руб. × 4 платежа
от 764 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
IKQ100N60T, SP001138296
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 160А |
Power Dissipation | 714Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOPT |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 160 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 714 W |
Package Type | PG-TO247-3-46 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet IKQ100N60TXKSA1
pdf, 1925 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов