Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › IKQ75N120CT2XKSA1, БТИЗ транзистор, 150 А ...

IKQ75N120CT2XKSA1, БТИЗ транзистор, 150 А, 1.75 В, 938 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 490 руб.

от 5 шт. — 3 270 руб.

от 10 шт. — 3 100 руб.

1 шт. на сумму 3 490 руб.

Плати частями
от 874 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8001887882

Артикул: IKQ75N120CT2XKSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Responding to the market requirement to accommodate ever increasing amounts of silicon in smaller, space saving packages, Infineon introduces the new package TO-247PLUS for 1200V IGBT.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	150А
Power Dissipation	938Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Type	P
Energy Rating	10.8mJ
Gate Capacitance	4856pF
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	938 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Switching Speed	20kHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.4