IKW15N120CS7XKSA1, БТИЗ транзистор, 36 А, 1.65 В, 176 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 150 руб.
от 100 шт. —
775 руб.
2 шт.
на сумму 2 700 руб.
Плати частями
от 675 руб. × 4 платежа
от 675 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The Infineon's 15 A TRENCHSTOP IGBT7 S7 discrete comes in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contributing to overall low total losses.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 15 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 176 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247-3 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 5.42 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2007 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов