IKW15N120H3FKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 340 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 040 руб.
от 100 шт. —
726 руб.
2 шт.
на сумму 2 680 руб.
Плати частями
от 670 руб. × 4 платежа
от 670 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, 1200В 30A 217Вт TO247 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.7 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 30 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 15 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW15N120H3 IKW15N120H3XK SP000674422 |
Pd - Power Dissipation | 217 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | XKW15N120 |
Technology | Si |
Automotive | Unknown |
Channel Type | N |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 30 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.6 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 217 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | Unknown |
Standard Package Name | TO-247 |
Supplier Package | TO-247 |
Tab | Tab |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 2.05 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Power Dissipation | 217 W |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1.81 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 812 КБ
Документация
pdf, 828 КБ
Datasheet IKW15N120H3 (Infineon)
pdf, 1954 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов