IKW20N65ET7XKSA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 136 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

870 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 780 руб.

от 100 шт. — 524 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 610 руб.

Плати частями
от 654 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8008637194

Артикул: IKW20N65ET7XKSA1

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные

136W 40A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBTs ROHS

Collector Current (Ic)	40A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)	650V
Diode Reverse Recovery Time (Trr)	70ns
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)	1.65V@15V, 20A
Input Capacitance (Cies@Vce)	-
Operating Temperature	-40℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	136W
Pulsed Collector Current (Icm)	60A
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge)	128nC
Turn?off Delay Time (Td(off))	210ns
Turn?off Switching Loss (Eoff)	0.36mJ
Turn?on Delay Time (Td(on))	16ns
Turn?on Switching Loss (Eon)	0.36mJ
Type	FS(Field Stop)
Brand:	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.35 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	40 A
Factory Pack Quantity:	240
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Manufacturer:	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	IKW20N65ET7 SP005348286
Pd - Power Dissipation:	136 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Package Type	PG-TO247-3
Вес, г	5.42