IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
![Фото 1/6 IKW30N60H3FKSA1 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC001642383.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/712/DOC004712948.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC023786224.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/553/DOC021553354.jpg)
600 руб.
от 15 шт. —
566 руб.
1 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9000263287
Артикул: IKW30N60H3FKSA1 (K30H603)
PartNumber: IKW30N60H3FKSA1
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
Технология/семейство | Trench and Fieldstop | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 187 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 21 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 207 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
Корпус | PG-TO247-3 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW30N60H3
pdf, 2185 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов