IKY75N120CS6XKSA1, БТИЗ транзистор, 150 А, 1.85 В, 880 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 4 вывод(-ов)
![Фото 1/3 IKY75N120CS6XKSA1, БТИЗ транзистор, 150 А, 1.85 В, 880 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 4 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/108/DOC010108476.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/682/DOC034682020.jpg)
2 440 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 260 руб.
от 10 шт. —
2 130 руб.
2 шт.
на сумму 4 880 руб.
Плати частями
от 1 220 руб. × 4 платежа
от 1 220 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 75А, 440Вт, TO247PLUS-4 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 150А |
Power Dissipation | 880Вт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP IGBT6 |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 880 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 PLUS |
Pin Count | 4 |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2024 КБ
Datasheet IKY75N120CS6XKSA1
pdf, 2022 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов