IRF530PBF, Транзистор, N-канал 100В 15А [TO-220AB]
![Фото 1/8 IRF530PBF, Транзистор, N-канал 100В 15А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/611/DOC005611177.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/354/DOC003354967.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC022341859.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827690.jpg)
130 руб.
от 15 шт. —
81 руб.
1 шт.
на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.16 Ом/8.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 | |
Крутизна характеристики, S | 5.1 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | аудиоприложения | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов