IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]
![Фото 1/6 IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/506/DOC003506472.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/023/DOC012023955.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/328/DOC024328342.jpg)
180 руб.
от 15 шт. —
130 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 9,5А, 82Вт, TO220AB
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом/5.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 | |
Крутизна характеристики, S | 3.8 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов