IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]
![Фото 1/4 IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210102.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC044389748.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC022368668.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827690.jpg)
98 руб.
от 15 шт. —
77 руб.
1 шт.
на сумму 98 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом/5.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 | |
Крутизна характеристики, S | 3 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 154 КБ
IRF630 datasheet
pdf, 176 КБ
Документация
pdf, 277 КБ
Datasheet IRF630
pdf, 154 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов