IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
от 25 шт. —
221 руб.
1 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IRF series is the 80V n channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0134 ом при 10a, 10в | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 12 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов