IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/470/DOC003470076.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/917/DOC022917477.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/317/DOC035317647.jpg)
440 руб.
от 15 шт. —
371 руб.
1 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 210 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.003 Ом/75А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 | |
Крутизна характеристики, S | 210 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 329 КБ
IRFS3206PBF Datasheet
pdf, 442 КБ
Datasheet IRF/B/S/SL3206PBF
pdf, 323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов