IRFL210TRPBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 0.96А [SOT-223]
![Фото 1/4 IRFL210TRPBF, Транзистор MOSFET N-канал 200В 0.96А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181996.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/640/DOC021640647.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/532/DOC044532144.jpg)
76 руб.
от 50 шт. —
52 руб.
1 шт.
на сумму 76 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,6А, 3,1Вт, SOT223 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.96 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/0.58А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 | |
Корпус | SOT-223 | |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов