Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › IRGP4066DPBF, БТИЗ транзистор, 75 А, 1.7 В ...

IRGP4066DPBF, БТИЗ транзистор, 75 А, 1.7 В, 454 Вт, 600 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 180 руб.

от 5 шт. — 2 880 руб.

от 10 шт. — 2 640 руб.

1 шт. на сумму 3 180 руб.

Плати частями
от 795 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8000128625

Артикул: IRGP4066DPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

The IRGP4066DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation. It is suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses.

• Low VCE (ON) Trench IGBT technology
• Low switching losses
• Square RBSOA
• 100% of Parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• High efficiency in a wide range of applications
• 5µs Short-circuit SOA

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.7В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	75А
Power Dissipation	454Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247AC
Brand	Infineon/IR
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.1 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current at 25 C	140 A
Factory Pack Quantity	50
Height	20.7 mm
Length	15.87 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	454 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Technology	Si
Unit Weight	1.340411 oz
Width	5.31 mm
Вес, г	7.458