IRL2910PBF, Транзистор, N-канал 100В 48А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRL2910PBF, Транзистор, N-канал 100В 48А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC001215990.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/751/DOC021751659.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/046/DOC024046165.jpg)
290 руб.
от 15 шт. —
245 руб.
1 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом/29А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
Крутизна характеристики, S | 28 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1546 КБ
Datasheet
pdf, 1538 КБ
Datasheet IRL2910PBF
pdf, 1541 КБ
Datasheet IRL2910PBF
pdf, 158 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов