IRL520NPBF, Транзистор N-CH 100V 10A [TO-220AB]
![Фото 1/5 IRL520NPBF, Транзистор N-CH 100V 10A [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757734.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/345/DOC022345222.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/253/DOC031253289.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/253/DOC031253292.jpg)
130 руб.
от 15 шт. —
97 руб.
1 шт.
на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 10А, 48Вт Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
Крутизна характеристики, S | 3.1 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 1…2 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRL520NPBF
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов