IRLML2060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 1.2А [Micro3 / SOT-23]
![Фото 1/7 IRLML2060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 1.2А [Micro3 / SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/152/DOC003152814.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/929/DOC013929846.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/883/DOC037883173.jpg)
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей, маломощного привода и телекоммуникационного оборудования.
Новые приборы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению сопротивления канала на 90%. Эти транзисторы также характеризуются очень малым зарядом затвора и малой паразитной миллеровской емкостью, благодаря чему имеют сверхбыстрое время переключения.
Новая линейка полевых транзисторов охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от - 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления и заряда затвора, что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.48 Ом/1.2А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
Крутизна характеристики, S | 1.6 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов