IRLR3636TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 60В, 50А [D-PAK]
![Фото 1/5 IRLR3636TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 60В, 50А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC044403786.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/730/DOC017730705.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757654.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/403/DOC044403790.jpg)
410 руб.
от 15 шт. —
388 руб.
1 шт.
на сумму 410 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 99 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0068 Ом/50А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 143 | |
Крутизна характеристики, S | 31 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов